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SI4910DY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4910DY-T1-E3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：40V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.6A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：855pF @ 20V 功率 - 最大：2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 芯片电阻 - 表面RNCF0402AKE2K00 套管 - 音频470X PMIC - 稳压LM2931CM 圆形MS3100A28-6P PMIC - 稳压UC2832TDWEP 圆形MS27497T22F21S 逻辑 - 栅极和逆SN74AHCT14N 钽电容器592D475X9035R2T15H 芯片电阻 - 表面MCR10EZPF3602 陶瓷电容器0805YC103KAT4A |
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